激光开槽工艺
先在切割道内切开2条细槽(开槽)，然后再使用磨轮刀片在2条细槽的中间区域实施全切割加工。通过采用该项加工工艺，能够提高生产效率，减少甚至解决因崩裂、分层(薄膜剥离)等不良因素造成的加工质量问题。
应用于高速逻辑元器件绝缘膜的Low-k膜，因其机械强度低，若使用普通的刀片进行切割加工，会发生Low-k膜剥落的风险。这种通过激光去除Low-k膜以及相应配线层的加工，就是激光开槽工艺。
先在切割道内切开2条细槽(开槽)，然后再使用磨轮刀片在2条细槽的中间区域实施全切割加工。通过采用该项加工工艺，能够提高生产效率，减少甚至解决因崩裂、分层(薄膜剥离)等不良因素造成的加工质量问题。
GaAs 化合物a半导体的薄晶片切割
在切割过程中，由于材料非常脆，GaAs 晶片很容易发生破损和开裂。因此，难以使用现有的刀片切割来提高进给速度。使用激光全切割切割，可以以比刀片切割快十倍的进给速度进行加工，从而提高产量。（这只是一个例子。实际速度取决于要处理的晶圆。）
追求加工精度和操作便利性
由于在适用于300 mm晶片的全自动激光切割机DEL7161上采用了非发热加工方式即短脉冲激光切割技术，来去除切割道上的Low-k膜及铜等金属布线，所以能够在开槽加工过程中最大限度地排除因发热所产生的影响。另外，在该设备上还配置了LCD触摸屏和图形化用户界面(GUI)，使操作更为方便。
切割道断面照片
* 在π激光开槽后，使用磨轮刀片实施阶梯切割。
切割加工质量
将短脉冲激光聚焦到晶片表面后进行照射。激光脉冲被Low-k膜连续吸收，当吸收到一定程度的热能后，Low-k膜会瞬间汽化。由于相互作用的原理，被汽化的物质会消耗掉晶片的热能，所以可以进行热影响极少的加工。
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